NTD110N02RT4G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NTD110N02RT4G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3440 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 24 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
Grundproduktnummer | NTD110 |
NTD110N02RT4G Einzelheiten PDF [English] | NTD110N02RT4G PDF - EN.pdf |
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Zielpreis (USD)
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